Неймаш В. Б. Генерація радіаційних і термічних дефектів у кремнії при "гарячому" електронному опроміненні / В. Б. Неймаш, М. М. Красько, А. М. Крайчинський // Укр. фіз. журн. - 2002. - 47, № 1. - С. 50-53. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.Досліджено вплив електронного (1 МеВ) опромінення на ефективність генерації кисневмісних термодонорів (КТД) у кремнії за температури 450 <$E symbol Р>C. Температура зразків (450 <$E symbol Р>C) встановлювалася за рахунок розігрівання електронним потоком. Виявлено, що "гаряче" електронне опромінення прискорює генерацію КТД. Зростання темпу генерації термодонорів за одночасного опромінення n-Si можна пояснити як проявом радіаційно-стимульованої дифузії домішки кисню в кристалах кремнію, так і збільшенням радіуса захоплення атомів кисню зародками термодонорів або дією обох факторів одночасно. Виявлено, що в n-Si за "гарячого" електронного опромінення утворюються радіаційні дефекти акцепторного типу. Зокрема, ефективність генерації таких дефектів, які утворилися за температури 450 <$E symbol Р>C, становить приблизно <$E 3~cdot~10 sup -3~roman см sup -1 >. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.271.51
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|