Проаналізовано вплив об'ємних і поверхневих параметрів напівпровідника на інформаційну глибину формування фотоефектів Zi. Показано, що зі збільшенням параметрів поверхневої рекомбінації S, R і Cs спостерігається зростання інформаційної глибини фотоефектів Zi. Зі збільшенням порядку поверхневої рекомбінації (за участю одного, двох або трьох вільних носіїв заряду) вплив коефіцієнта поглинання k на величину Zi проявляється в ширшому діапазоні його зміни (залежність Zi(k) пізніше виходить на насичення). Причому граничне значення Zi за <$E k~symbol О~inf > не залежить від величин S, R і Cs. Установлено факт немонотонності зміни абсолютної величини Zi з підвищенням порядку безвипромінювальної поверхневої рекомбінації.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.4

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сукач Георгій Олексійович (фізико-математичні науки)
• Бєлоусов Сергій Миколайович (1897–1985) (історичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"