Наведено результати експериментальних досліджень впливу іонізуючого випромінювання на електричні властивості кристалічних діелектриків <$E alpha~-~roman SiO sub 2> та <$E alpha~-~roman {Al sub 2 O sub 3}>. Визначено закономірності терморадіаційних змін електропровідності за умов постійного струму <$E sigma>, тангенса кута діелектричних втрат tg<$E delta> та діелектричної проникності <$E epsilon>. Обчислено енергії активації провідності кристалів. Обговорено особливості кінетики радіаційного дефектоутворення, температурної залежності електропровідності в межах існуючих моделей.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"