Виявлено генерацію носіїв заряду в алмазних полікристалічних плівках у діапазоні 0,6 - 1,9 еВ. Її залежність від потоку фотонів змінюється від кореневої до лінійної з ростом енергії фотонів. Встановлено області фотогенерації двох типів носіїв. За <$E h nu~<<~1,4 > еВ проявляється один тип носіїв, а за <$E h nu~>>~1,4 > еВ - обидва типи одночасно. Аномальність фогогенерації в нелегованих полікристалічних алмазних плівках, за якої нахил люкс-амперної характеристики стає близьким до одиниці зі зменшенням довжини хвилі (збільшенням концентрації носіїв), пояснено генерацією двох різних типів носіїв, коли <$E h nu~>>~1,4 > еВ.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"