Разработан метод быстрого определения параметров переноса заряда в дозиметрических детекторах <$Egamma>-излучения на основе высокоомных полупроводников. Рассмотрена задача расчета параметров переноса заряда в планарных детекторах <$Egamma>-излучения на основе полуизолирующего CdTe (CdZnTe) с использованием их дозиметрических характеристик. На основе результатов имитационного моделирования показана применимость рассмотренного метода для <$Eroman HgI sub 2> детекторов <$Egamma>-излучения.

A method of fast determination of the high resistivity detector charge collection parameters with the use of the detector dosimetric characteristics and by means of mathematical simulation is proposed. A problem of calculation of charge collection parameters is investigated for planar gamma-radiation dosimetric detectors made from semi- insulating compound semiconductor CdTe (CdZnTe). An applicability of the considered method is verified by com- puter simulation for HgI2 gamma-radiation detectors. The considered method can be used in the development of The photo-electric characteristics created two-side-sensitive two-base Ag-N0Al0,2Ga0,8As-n+GaAs- n0Ga0,9In0,1As-Au-structure in photodiode and photovoltaic modes are investigated at influence by radiation from own area of absorption of base areas. The received structures are of interest as silent photoreceivers for opto- and microelectronics.

• Хажмурадов Манап Ахмадович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"