Рассмотрены физико-технологические проблемы получения и основные свойства сцинтилляционных материалов на основе селенида цинка и других соединений <$Eroman {А sup II В sup VI }>. Определено влияние свойств легирующих примесей на процессы формирования комплексных дефектов решётки, выступающих в роли центров свечения. Показано, что такие особенности свойств, как высокий световыход и очень низкий уровень послесвечения, а также уникальное сочетание сцинтилляционных и полупроводниковых свойств позволяют использовать их в различных областях радиационного приборостроения.

Розглянуто фізико-технологічні проблеми отримання і основні властивості сцинтиляційних матеріалів на основі селеніду цинку і інших сполук <$Eroman {А sup II В sup VI }>. Визначено вплив властивостей легуючих домішок на процеси формування комплексних дефектів грат, які виступають в ролі центрів світіння. Показано, що такі особливості властивостей, як високий світловихід і дуже низький рівень післясвітіння, а також унікальне поєднання сцинтиляційних і напівпровідникових властивостей дозволяють використовувати їх в різних областях радіаційного приладобудування.

Physico-technological problems of preparation and main properties of scintillation materials based on zinc selenide and other <$Eroman {А sup II В sup VI }> compounds are considered. Effects have been determined of dopant properties on formation processes of complex lattice defects playing the role of luminescence centers. It is shown that such property features as high light output and very low afterglow level, as well as a unique combination of scintillation and semiconductor properties allow application of these materials in different fields of radiation instrument technologies.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"