Контроль величины омического сопротивления "скрытых слоев" n+-типа с использованием математической модели на основе элементарной ячейки эквивалентной сосредоточенной проводимости с разбиением по двум координатам позволяет обеспечить существенное уменьшение разброса численных значений токов инжекторов И2Л-БИС по поверхности кристалла и уменьшить общую площадь кристалла за счет сокращения суммарной площади металлизации шин питания.

Control of Ohmic resistance value of the Уburied layers of n+-type with application of the mathematical model, based on the elementary cell, equivalent to the focused conductivity, split by the two coordinates, ensures the considerable scatter reduction of the current values of the injectors I2L VLSI on the chip surface and to reduce the chip total area at the expense of the power supply bus metallization total area reduction.

Ключ. слова: интегральная инжекционная логика (И2Л), проектирование, токи питания, токораспределение.
Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15с116

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ємельянов Володимир Олександрович (1949–) (геологічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"