Ковтонюк В. М. Особенности конструкции и технологии изготовления диодов Ганна из арсенида галлия, работающих на частотах выше 60 ГГц = Особливості конструкції та технології виготовлення діодів Ганна з арсеніду галлія, що працюють на частотах понад 60 ГГц / В. М. Ковтонюк, В. Н. Иванов, Ю. Е. Николаенко // Техника и приборы СВЧ. - 2008. - № 1. - С. 55-57. - Библиогр.: 4 назв. - рус.Разработаны конструкция и перспективная технология изготовления диодов Ганна на эпитаксиальных структурах GaAs <$En~-~n sup +>-типа с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Исследованы моногармонический и бигармонический режимы работы на частотах выше 60 ГГц. Достигнуто значение коэффициента полезного действия 1,2 % для генераторов, работающих в бигармоническом режиме на рабочей частоте 94 ГГц. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-06
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100091 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|