Надано результати розробки й дослідження кремнієвих швидкодіючих перемикальних p-і-n діодів міліметрового діапазону в безкорпусному виконанні з балковими виводами. Діоди виготовлені за мембранною технологією й можуть застосовуватися в смугових і хвилевідно-щілинних лініях передач на частотах до 100 ГГц.

Даны результаты разработки и исследования кремниевых быстродействующих переключательных p-і-n-диодов миллиметрового диапазона в бескорпусном исполнении с балочными выводами. Диоды изготавливались по мембранной технологии и могут применяться в полосковых и волноводно-щелевых линиях передач на частотах до 100 ГГц.

The development and research results of Si high speed switch MM-wave beam-lead pЦiЦn-diodes are presented. Diodes were made on diaphragm technology and can be used in the microstrip and fin-line components up to 100 GHz.

Ключ. слова: pЦiЦn-диод, технология мембранная, выводы балочные, линия передачи микрополосковая, линия передачи волноводно-щелевая.
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.24-01

Рубрики:

Опірні діоди (напівпровідникові стабілітрони)

Шифр НБУВ: Ж100091 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"