Описаны новые приборы на основе полуизоляторов с качественно новыми свойствами и возможностями: высокоэффективные фотоприемники на спектральный диапазон от ультрафиолетового до дальнего инфракрасного, в том числе с большим внутренним усилением фотосигналов (инжекционные фотодиоды); твердотельные охлаждающие устройства на основе нового термоэлектрического эффекта - инжекционного переноса тепла; полупроводниковые приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением; твердотельные структуры с объемной плазменной связью, на которых возможно создание нового класса функциональных схем, блоков и устройств, в том числе нейроноподобных.

The physical phenomena in semiinsulating crystals have been considered. Designed on their basis numerous electronic devices: photodetectors; injection photodiodes; thermoelectric phenomena and thermocoolers in structures with nonequilibrium charge carriers; S-diodes - semiconductor diodes with negative differential resistance, devices on the basis of "plasma" volumetric connection - neuristors, logical component, functional assemblies, and blocks have been discussed.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"