Визначено, що невід'ємною складовою сучасних тонкоплівкових фотоперетворювачів (ФЕП) на базі діселеніду міді та індію і на базі телуриду кадмію є шари сульфіду кадмію, які відіграють роль буфера між базовим шаром і прозорим електродом. Вивчено структуру, електричних і оптичних властивостей електроосаджених плівок CdS. Структурний аналіз здійснено рентген-дифрактометричним методом. Для визначення електричних властивостей використано темнові вольтамперні характеристики плівок. Оптичні властивості досліджено методом спектрофотометрії.

Отмечено, что неотъемлемой частью современных тонкопленочных фотопреобразователей (ФЭП) на базе диселенида меди и индия и теллурида кадмия являются слои сульфида кадмия, которые играют роль буфера между базовым слоем и прозрачным электродом. Исследована структура, электрических и оптических свойств электроосажденных пленок CdS. Структурный анализ проведен рентген-дифрактометрическим методом. Для определения электрических свойств использованы темновые вольтамперные характеристики пленок. Оптические свойства исследованы методом спектрофотометрии.

Cadmium sulfide layers are integral part of the modern solid state photovoltaic devices (PVD) on the base of copper indium diselenide and on the base of cadmium telluride. They play the role of the buffer between the base layer and the transparent electrode. This work is devoted to research of the structure, electrical and optical properties of electrodeposited CdS films. The structural analysis was executed by the method of X-ray diffractometry. For determination of the electrical properties the dark current-voltage characteristics (IVC) of the films were used. Optical properties were investigated by means of spectrophotometry method.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"