Представлены результаты проектирования микросхемы широкополосного усилителя с регулируемым коэффициентом усиления. Микросхема, выполняемая по биполярной технологии, содержит основной усилитель, R-2R-аттенюатор, интерфейс регулировки усиления и источник стабильного тока, формирующий напряжения смещения. Применение программы PSPICE и расчетных SPICE-параметров позволило провести моделирование статических и частотных характеристик микросхемы. Полоса пропускания <$Ef sub { roman В }> на уровне 3 дБ примерно равна 30 МГц, линейность регулирования усиления в пределах от 0 до 40 дБ не больше <$Esymbol С ~0,3~ roman дБ>.

This paper describes results design wideband microcircuit variable-gain amplifier. This bipolar microcircuit comprise fixed gain amplifier, voltage-controlled R-2R-attenuator with gain control interface and reference circuit forming biased voltages and stable current. With the application PSPICE software have been simulated the static characteristics and so the gain-frequency and phase-response characteristics of the microcircuit. The 3-dB bandwidth is near 30 MHz, the gain error is <$Esymbol С ~0,3~ roman dB> max, when the gain control from 0 to 40 dB. Multifunctional sensor of pressure and temperature based on Si-Ge whiskers.

• Попов Володимир Петрович (медичні науки)
• Тимошенко Наталія Анатоліївна (економічні науки)
• Тимошенко Наталія Анатоліївна (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"