Розглянуто методи підготовки, аналізу, а також структурно-кристалографічні, морфологічні, оптичні, механічні, хімічні властивості підкладок, що використовуються для епітаксійного росту плівок GaN. Наведено матеріали експериментального дослідження та грунтовного аналізу підкладок на основі поруватих сполук GaAs. Описано основні властивості шарів GaN, одержаних такими технологічними методами, як гідридно-хлоридна газотранспортна епітаксія (HVPE), молекулярно-променева епітаксія (MBE), газотропна епітаксія з металево-органічних сполук (MOCVD). Розглянуто новий метод одержання тонких плівок GaN - радикально-променеву гетерувальну епітаксію (RBGE).

Рассмотрены методы подготовки, анализа, а также структурно-кристаллографические, морфологические, оптические, механические, химические свойства подкладок, использующихся для эпитаксионного роста пленок GaN. Приведены материалы экспериментального исследования и подробного анализа подкладок на основе пористых соединений GaAs. Описаны свойства слоев GaN, полученных такими технологическими методами, как гидридно-хлоридная газотранспортная эпитаксия (HVPE), молекулярно-лучевая эпитаксия (MBE), газотропная эпитаксия из металло-органических соединений (MOCVD). Рассмотрен новый метод получения тонких пленок GaN - радикально-лучевая гетерирующая эпитаксия (RBGE).

• Сукач Георгій Олексійович (фізико-математичні науки)
• Кідалов Валерій Віталійович (1960–) (фізико-математичні науки)
• Ревенко Андрій Сергійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"