Описано електричні властивості епітаксіальних шарів GaAs, отриманих за низької температури в системі Ga-AsC13-H2. Проаналізовано вплив водню на якість литих кремнієвих виробів. Розглянуто питання розробки неруйнуючого способу визначення неоднорідності фотоелектричних властивостей напівпровідникових з'єднань CdxHg1-xTe, алгоритмізації нелінійно-динамічного підходу до прогнозування часових рядів. Висвітлено природу переходів в задачах підвищення ефективності генерацій в лазерах на gGaAS, синтез програмно-апаратного комплексу багатофункціонального діагностування теплових режимів роботи силових електродвигунів.

Описаны электрические свойства эпитексиальных слоев GaAs, полученных в условиях низкой температуры в системе Ga-AsC13-H2. Проанализировано влияние водорода на качество литых кремниевых изделий. Рассмотрены вопросы разработки неразрушающего способа определения неоднородности фотоэлектрических свойств полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe, алгоритмизации нелинейно-динамического подхода к прогнозированию временных рядов. Освещены природа переходов в задачах повышения эффективности генераций в лазерах gGaAS, синтез программно-аппаратного комплекса многофункционального диагностирования тепловых режимов работы силовых электродвигателей.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"