Вивчено показник стехіометричності кристалів GaAs з дисплейними методами хемометрики. Описано емісійні властивості розвиненої кремнієвої поверхні, покритої алмазоподібною плівкою. Проаналізовано вплив теплових умов на вміст кисню та розподіл щільності мікродефектів у процесі вирощування монокристалів кремнію діаметром 200 мм. Розглянуто питання застосування лазерних технологій для виготовлення нанорозмірних структур, формування впорядкованих масивів квантових точок телуриду свинцю за умов пружнопластичної деформації поверхні фториду барію (ІІІ), самоорганізації наноструктур на поверхні шаруватого кристала GaSe, вирощування масивів квантових точок у процесі рідиннофазної епітаксії. Висвітлено метод підвищення точності виміру товщини тонких плівок, визначено зміну їх складу та структури під час напилення з капілярних випарників.

Изучен показатель стехиометричности кристаллов GaAs с дисплейными методами хемометрики. Освещены эмиссионные свойства развитой кремниевой поверхности, покрытой алмазообразной пленкой. Проанализировано влияние тепловых условий на содержание кислорода и распределение плотности микродефектов в процессе выращивания монокристаллов кремния диаметром 200 мм. Рассмотрены вопросы применения лазерных технологий для изготовления наноразмерных структур, формирования упорядоченных массивов квантовых точек телурида свинца в условиях упругопластической деформации поверхности фторида бария (ІІІ), самоорганизации наноструктур на поверхности слоевого кристалла GaSe, выращивания массивов квантовых точек в процессе жидкостнофазовой эпитаксии. Представлен метод повышения точности измерения толщины тонких пленок, определено изменение их состава и структуры при напылении с капиллярных испарителей.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"