Экспериментально показано, что в полевом фототранзисторе с каналом, легированным оловом, участок с высоким динамическим сопротивлением является протяженным, в отличие от транзистора, легированного теллуром, что связано с особенностями процессов запирания канала в каждом случае. Выяснены механизмы фоточувствительности и установлена прямая зависимость процессов внутреннего усиления фототока от крутизны передаточной характеристики и выходного динамического сопротивления. Результаты могут быть использованы при конструировании оптоэлектронных схем на основе полевых фототранзисторов.

Is experimentally shown, that in the field phototransistor with the channel alloyed by tin, the site with high dynamic resistance is extended as against the transistor alloyed by tellurium. It is connected to features of processes of lockout of the channel in each case. The mechanisms of photosensitivity are found out. The direct dependence of processes of internal amplification of a photocurrent on a steepness of the transfer characteristic and target dynamic resistance is established. The results can be used at designing of opto electronic scheme on the basis of field phototransistors.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"