Приведены результаты исследования процессов насыщения тока стока полевого транзистора с р-n-переходом. Показано, что при анализе процессов насыщения тока стока в схеме с общим истоком или в режиме автоматического смещения необходимо учитывать различный характер зависимости напряжений, падающих на переходах "сток - затвор" и "затвор - исток", для каждого случая. Полученные результаты представляют интерес для проектирования различных схем на основе полевых транзисторов.

The results of research of processes of saturation of a current of a drain of the field transistor with р-n-junction are given. Is shown, that it is necessary to take into account various character of dependence of voltage falling on drain-gate and gate-source transitions for each case at the analysis of processes of saturation of a drain current in the circuit with a general source or in a mode of automatic displacement. The received results are of interest for designing the various circuits on the basis of field transistors.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"