Теоретично досліджено вплив напруги зміщення на магнітоопір магнітного тунельного переходу з східчастим потенційним бар'єром у межах двозонної моделі вільних електронів у феромагнітних електродах. Показано, що залежність магнітоопору магнітного тунельного переходу від напруги зміщення має різний вигляд в залежності від типу та товщини ізоляторів, які складають східчастий тунельний потенційний бар'єр. Знайдено, що магнітоопір магнітного тунельного переходу може змінювати свій знак та осцилювати зі збільшенням напруги зміщення. Встановлено, що зміна знаку магнітоопору зв'язана зі збільшенням коефіцієнта проходження електронів основної поляризації через магнітний тунельний перехід за умов зміни взаємної орієнтації намагніченостей феромагнітних електродів з паралельної на антипаралельну.

Теоретически исследовано влияние напряжения смещения на магнитосопротивление магнитного туннельного перехода со ступенчатым потенциальным барьером в рамках двухзонной модели свободных электронов в ферромагнитных электродах. Показано, что зависимость магнитосопротивления магнитного туннельного перехода от напряжения смещения имеет различный вид в зависимости от типа и толщины изоляторов, образующих ступенчатый туннельный потенциальный барьер. Найдено, что магнитосопротивление магнитного туннельного перехода может изменять свой знак и осциллировать с увеличением напряжения смещения. Установлено, что изменение знака магнитосопротивления связано с увеличением коэффициента прохождения электронов основной поляризации через магнитный туннельный переход при изменении взаимной ориентации намагниченностей ферромагнитных электродов с параллельной на антипараллельную.

The influence of the bias voltage on the magnetoresistance of a magnetic tunneling junction with a step-like potential barrier has been studied theoretically in the frame of a two-band model of free electrons in ferromagnetic electrodes. It is shown that the dependence of the magnetoresistance of the magnetic tunneling junction on the bias voltage can be different according to the type and the thickness of the isolators forming a step-like tunneling potential barrier. It has been found out that the magnetoresistance of the magnetic tunneling junction can change its sign and oscillate with increasing bias voltage. It has been shown that the sign reversal of the magnetoresistance is related to the increase in the transmission coefficient of majority electrons through the magnetic tunneling junction as the mutual orientation of magnetization of ferromagnetic electrodes switches from parallel to antiparallel

• Борисенко Сергій Анатолійович (фізико-математичні науки)
• Борисенко Світлана Анатоліївна (фізико-математичні науки)
• Борисенко Сергій Анатолійович (історичні науки)
• Яковенко Віктор Миколайович (фізико-математичні науки)
• Яковенко Володимир Миколайович (біологічні науки)
• Яковенко Володимир Мефодійович (1934–2022) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"