Приведены результаты экспериментальных исследований в области полупроводниковой наноэлектроники в Институте физики полупроводников СО РАН. Описаны квантовые точки в приборных кремниевых структурах, фотонные кристаллы. Освещены особенности квантования фотонов и быстродействия СВЧ транзисторов, проявления когерентных свойств теплового излучения полупроводниковых плоскопараллельных структур, излучательной рекомбинации пористых и эпитаксиальных слоев InP, подвергнутых магнитно-полевой и микроволновой обработкам, фасетирования границ зерен в поликремниевых пленках с равноосной структурой. Показано место фуллеренов и углеродных нанотрубок в кристаллических структурах. Внимание уделено парамагнитному резонансу взаимодействующих спинов в полупроводниках. Осуществлено моделирование распределения наноразмерных фотохромных центров в стационарном градиентном световом поле. Определены технологические факторы поверхностной морфологии и оптического поглощения наноструктурированных слоев двуокиси олова.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"