Отримано халькогенідні склоподібні напівпровідники хімічного складу <$Eroman (GeS) sub {1~-~x } ~-~ roman (HgS) sub x> і досліджено їх спектри комбінаційного розсіювання світла. Складні смуги спектрів КРС розкладено на гаусівські компоненти і проаналізовано їх параметри: частотне положення, напівширину та інтенсивність. Описано залежність параметрів смуг розсіювання стекол залежно від зміни хімічного складу. Розраховано координаційні числа для стекол системи <$Eroman (GeS) sub {1~-~x } ~-~ roman (HgS) sub x>. Зміни спектрів КРС пояснено з точки зору топологічних фазових переходів.

Chalcogenide glassy semiconductors of chemical composition <$Eroman (GeS) sub {1~-~x } ~-~ roman (HgS) sub x> the investigation by Raman spectroscopy. Complex bars of the Raman spectrums are decomposed on the gaousivsci components and their parameters are analysed : frequency position, semiwidth and intensity. Dependence of parameters of bars of dispersion of glasses depending on the change of chemical composition is analysed. Calculated co-ordinating numbers for glasses of the system <$Eroman (GeS) sub {1~-~x } ~-~ roman (HgS) sub x>. Changes of the Raman spectrumsare explained from the point of view topologichnih phase transitions.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"