Описано виготовлення високоефективних одноперехідних гетерофотоелементів pAlGaAs/nGaAs з застосуванням нового технологічного підходу до формування високоякісних базових областей гетероструктур GaAs/AlGaAs, який ірунтується на використанні комплексного легування алюмінієм та ітербієм галієвих розчинів - розплавів у методі РФЕ. На основі гетероструктури n-GaAs(підкл)-n-GaAs-p-GaAs-p-AlGaAs-p-GaAs, n-GaAs шар якої, комплексно легований оптимальними концентраціями Al та Yb, виготовлено фотоперетворювачі сонячної енергії з активною площею <$E3,7~ roman см sup 2 }>, <$EU sub хх ~=~0,98~ roman В>, <$Ej sub к.з. ~=~29,2~ roman {мА"/"см sup 2 }>, ККД = 26,0 % у разі АМ 1,5(<$E100~ roman {мВт"/"см sup 2 }>).

In this paper report about producing high-performance one-junction solar calls pAlGaAs/nGaAs with using new technology method of attack to form high-quality base region of heterostructure GaAs/AlGaAs, wich is basing on using complex doping aluminium and ytterbium of gallium melts in LPE method. On the base of heterostructure n-GaAs(substrate)-n-GaAs-p-GaAs-p-AlGaAs-p-GaAs, n-GaAs with n-GaAs layer complex doping aluminium and ytterbium on optimum concentration produce solar calls with active area <$E3,7~ roman сm sup 2>, <$EU sub oc ~=~0,98~ roman V>, <$EJ sub sc ~=~29,2~ roman {mА"/"сm sup 2 }>, efficiency - 26,0 % at АМ 1,5(<$E100~ roman {mW"/"см sup 2 }>).

Ключ. слова: гетерофотоелемент, комплексне легування, гетероструктура, рекомб?нац?йн? центри
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж28852/Фіз Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"