Исследовано влияние <$Egamma>-облучения (<$Enothing sup 60 roman Co>) на фотоэлектрические параметры InSe-диодов. Облучение в дозах 10 - 300 Р приводит к увеличению значений коэффициента выпрямления тока, напряжения холостого хода и тока короткого замыкания, и практически не влияет на спектральное распределение фотоответа. Деструктивного влияния на границу p-n-перехода зафиксировано не было. Показано, что фотодиоды р-п-InSe и окисел-р-InSe могут эксплуатироваться в условиях повышенного радиационного фона.

A <$Egamma>-radiation (<$Enothing sup 60 roman Co>) influence on the photoelectrical parameters of the InSe-diodes is investigated. The penetrating radiation produces defects of acceptor type in the base material, but does not lead to any significant degradation of the energy barrier. At the same time the irradiated photodiodes show an improvement of the photoelectric parameter: the increase of the open-circuit voltage and short-circuit current. After irradiation the photodiodes have stable characteristics and can operate at conditions of elevated radiation background.

• Ковалюк Захар Дмитрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"