Описано можливість створення гетеропереходів pInSe-nZnSe методом посадки на оптичний контакт і досліджено головні електричні та фотоелектричні властивості.

The possibility of creating of the pInSe-nZnSe heterojunctions by the method of optical contact is shown. The basic electrical and photoelectrical properties are investigated.

Ключ. слова: гетероперехід, селенід цинку, моноселенід індію, вольтамперна характеристика, струм короткого замикання, напруга холостого ходу
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж28852/Фіз Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"