Вивчено характеристики монокристалів CdTe та <$Eroman Cd sub x roman Zn sub {1~-~x } roman Te> (<$Ex~ symbol Г ~0,2>), вирощених методом HPBM (high pressure Bridgman method) за різних умов синтезу і тиску Ar 60 - 120 атм. в лабораторії PHASE (CNRS, Strasbourg). За низького тиску Ar (60 - 70 атм.) і попереднього синтезу з наступним перезавантаженням в іншу ампулу можна отримати низькоомні кристали р-типу, подібні до одержаних класичним методом Бріджмена. Напівізолюючі кристали CdTe та <$Eroman Cd sub x roman Zn sub {1~-~x } roman Te> (<$Ex~ symbol Г ~0,2>) можуть бути вирощені (без перезавантаження) за тиску Ar, вищому за 120 атм. З фотоелектричних вимірювань визначено 5 глибоких рівнів (0,5; 0,8; 0,93; 1,23; 1,42 eВ). Однорідність злитку у випадку напівізолюючих кристалів була гіршою.

Characteristics of CdTe and CdxZn1-xTe (x ( 0.2) single crystals, grown by HPBM at different synthesis conditions and with Ar pressure of 60-120 atm in PHASE laboratory (CNRS, Strasbourg), were studied. At lower Ar pressure (60-70 atm) and preliminarysynthesis with following overcharging in another ampoule it is possible to get low-resistance p-type crystals, similar to traditional Bridgman method. The semiinsulating CdTe and CdxZn1-xTe (x ( 0.2) bouls can be grown (without overcharging) at Par > 120atm. By photoelectrical measurements positions of 5 deep levels (0.5; 0.8; 0.93; 1.23; 1.42 eV) were determined. The bulk uniformity of semiinsulating crystals was worse

• Парфенюк Орест Архипович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"