The possibility of using of the IR radiation from semiconductor for an express-diagnostics of the semiconductor diode quality was reasoned. The method of separation of the recombination and thermal radiaton components from the heated diod crystal was developed. We showed the possibility of selection of the diod crystal soldering conditions when the crystal surface was heated homogeneously using diod thermal radiation.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"