Досліджено дію лазерного імпульсу тривалістю 40 нс, довжиною хвилі 0,694 мкм і енергією 650 мДж на поверхню (112) монокристалічного Ge. Числовим методом за неявною схемою розв'язано рівняння теплопровідності для даних умов опромінювання. Згідно з розрахунками відбувається зріз заднього фронту імпульсу внаслідок поглинання в парі. Під дією значного реактивного тиску (біля 1 ГПа) і температури на глибині біля кількох мікронів у центрі плями спостерігались короткі дислокаційні петлі.

The influence of the 40 ns laser pulse with energy 650 mJ on the surface (112) of Ge single crystal was investigated. Heat-conduction equation for stated conditions of irradiation was salved by the numerical method with using of indirect scheme. In accordance with calculations the back front of the laser impulse is cut away owing to absorption in vapor. Short dislocation loops caused by the big jet pressure (~1GPa) and high temperature were observed in the centre of the laser spot on the depth of a few (m

• Надточій Віктор Олексійович (фізико-математичні науки)
• Москаль Денис Степанович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"