Досліджено зміну структури та електропровідності тонких аморфних і закристалізованих плівок рідкоземельний метал (РЗМ: Sc, Y) - перехідний метал (ПМ: Fe, Co, Ni) - напівпровідник (НП: Ge) у разі опромінення електронами з енергією75 кеВ з дозою до <$E10 sup 20 ~ roman {е sup - /см sup 2 }> та <$Egamma>-опромінення з дозою <$E2~ cdot ~10 sup 3 ~ roman Гй>. Відзначено, що зміна діапазонів термічної стабільності плівок обумовлена порушеннями ближнього порядку розміщення атомів у аморфних сплавах та зростанням дефектності в закристалізованих.

The changes of structure and conductivity amorphous and crystallized thin films of rare-earth metal (RE: Sc, Y) - transition metal (TМ: Fe, Co, Ni) - semiconductor (SC: Ge) at an electron irradiation with energy 75 keV with a doze up to 1020 е-/сm2 and ?-irradiation by a doze up to 2?103 Ga are inverstigated. The change of ranges of thermal stability thin films is caused by infringements of the near order of accommodation of atoms in amorphous alloys and increase of high vacancy concentration in heavily damaged regions of crystallized thin films

• Миколайчук Олексій Гордійович (технічні науки)
• Яцишин Богдан Петрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"