Представлено результати квантовохімічних розрахунків процесів адсорбції і десорбції водню на кластерах, що моделюють вакансійні дефекти на Ge(100). Обговорено можливі механізми протікання цих реакцій за різних ступенів покриття таких поверхонь дигідридною і моногідридною хемосорбційними фазами. Проводено порівняння результатів моделювання з існуючими експериментальними даними для упорядкованих і модифікованих поверхонь Ge.

The results of quantum-chemical calculations of hydrogen adsorption and desorption processes on clusters, simulating vacancy defect on Ge(100), are presented in the work. The possible reaction mechanisms at different coverage of such surfaces by dihydride and monohydride chemisorption phases are discussed. The comparison of simulation results with experimental data for ordered and disordered Ge surfaces is carried out

• Ананьїна Ольга Юріївна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"