Описано структури, конструкції, фізичні та математичні моделі, визначено параметри та наведено характеристики основних елементів інтегрованих мікросхем. Проаналізовано співвідношення для параметрів розрахунків проектування каскадів та логічних елементів великих інтегрованих мікросхем. Висвітлено властивості напівпровідників, діодів, біполярного транзистору, польових транзисторів з ізольованим та керувальним переходом.

Описаны структуры, конструкции, физические и математические модели, определены параметры и приведены характеристики основных элементов интегрированных микросхем. Проанализированы соотношения для параметров расчётов проектирования каскадов и логических элементов больших интегрированных микросхем. Освещены свойства полупроводников, диодов, биполярного транзистора, полевых транзисторов с изолированным и управляемым переходом.

• Погребняк Віталій Петрович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"