Приведены результаты экспериментальных исследований диода на основе арсенида галлия в температурном диапазоне 78 - 300 К. Предложено при разработке аппаратуры предварительно оценивать стабильность работы полупроводниковых датчиков в диапазоне пониженных температур на основе анализа генерационно-рекомбинационных процессов и френкелевской ионизации примесей.

The results of experimental researches of the diode on a basis of GaAs in a temperature range 78-300 K to are given. It is offered at development of the equipment previously to estimate stability of work of semiconductor quages in a range of the lowered temperatures on the basis of the analysis generation-recombination of processes and Frenkel ionization of impurity.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"