Бар'єри Шоткі виготовлено шляхом термічного напилення індію на монокристали <$Eroman СuInSe sub 2> р-типу. Проаналізовано температурні залежності вольт-амперних характеристик, спектри фотовідклику та інтерпретовано механізми проходження струму досліджуваних діодів. Показано, що одержані поверхнево-бар'єрні структури є перспективними для створення фотоперетворювачів сонячного випромінювання.

The Schottky barriers are made by thermal evaporation indium on p-type СuInSe2 single crystals. The temperature dependences of current-voltage characteristics and relative quantum efficiencies are discussed; current transport mechanisms of the prepared diodes are interpreted. It is shown that the received surface-barrier structures are perspective as photoconverters of solar radiation

• Ковалюк Захар Дмитрович (фізико-математичні науки)
• Сидор Олег Миколайович (фізико-математичні науки)
• Нетяга Віктор Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"