За методом кристалоквазіхімії досліджено механізми утворення точкових дефектів та їх розташування у кристалах CdTe : Cl за умов відпалу у парах кадмію і телуру. Показано, що за результатом відпалу p-CdTe : Cl у парах кадмію (високі тиски кадмію <$Eroman {р sub Cd }>) одержують матеріал з електронною провідністю за механізмом заповнення вакансій кадмію та має місце його вкорінення у октаедричні порожнини підгратки телуру. Установлено, що внаслідок відпалу p-CdTe : Cl у парах телуру (низькі тиски <$Eroman р sub Cd }>) одержується матеріал з електронною провідністю, що зумовлено антиструктурними дефектами заміщення телуром кадмію.

The method of crystalquasichemistry is investigates possible variants of accommodation of dot defects in crystals CdTe:Cl under their disappeared in pairs cadmium and tellurium. Is shown, that with disappeared p-CdTe:Cl in pairs cadmium receive a material with electronic conductivity as behind the mechanism of entry cadmium at vacancies cadmium, and rooting in emptiness understructure tellurium. Has disappeared p-CdTe:Cl in pairs tellurium also gives a material with electronic conductivity, which caused by antistructural defect of replacement TeCd''

• Дмитрів Анжела Миколаївна (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"