Досліджено вплив <$Egamma>-опромінення на електролюмінісценцію світлодіодних структур на основі <$En sup + -n-p- roman Al sub x roman Ga sub {1~-~х} roman As>. Проаналізовано перехідні процеси, які відбуваються під час введення та виведення гетероструктури з активної зони. Установлено, що залишкова деградація інтенсивності свічення діодів обумовлена радіаційностимульованим утворенням стійких за кімнатних температур асоціацій точкових дефектів у підсистемі арсену. Зроблено висновки про механізми, які обумовлюють довготривалі релаксаційні явища, стимульовані дією <$Egamma>-опромінення.

Using the electroluminescence technique we have investigated the radiation hardness of the red light-emitting n+-n-p-AlxGa1-хAs diodes. As-grown samples were (-ray irradiated by Co60 at room temperature. Degradation-relaxation processes was analyzed. It was determined that the luminescence degradation is connected with the creation of stable complexes of point defects in As sublattice. Preliminary conclusions about mechanism of long-time relaxation phenomenon stimulated by (-irradiation are formulated

• Тартачник Володимир Петрович (фізико-математичні науки)
• Петренко Ірина Володимирівна (психологічні науки)
• Петренко Інна Володимирівна (філологічні науки)
• Петренко Ігор Віталійович (технічні науки)
• Петренко Ірина Вікторівна (фізичне виховання та спорт)
• Петренко Ігор Вячеславович (юридичні науки)
• Савкіна Рада Костянтинівна (фізико-математичні науки)
• Смірнов Олексій Борисович (фізико-математичні науки)
• Круковський Семен Іванович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"