Одержано вирази для часу релаксації і рухливості електронів та статичної електропровідності квантового напівпровідникового дроту з урахуванням значення випадкового поля, зумовленого гауссівськими флуктуаціями товщини дроту. Розглянуто вплив сильного квантуючого магнітного поля, напрямленого вздовж довжини дроту. Установлено, що у невиродженому випадку за низьких температур рухливість електронів <$Eroman {u sub n }> ~ <$Eroman T sup 1"/"2>.

The expressions for a relaxation time, an electron mobility and static conductivity of a quantum semiconducting wire, which are determined by a random field conditioned by Gaussian fluctuations of wire thickness are obtained. The influence of a strongquantizing magnetic field directional along length of a wire is considered. In a nondegenerate case and low temperatures electron mobility un ~ T1/2

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Рувінський Марк Аунович (фізико-математичні науки)
• Остафійчук Богдан Костянтинович (1948–2024) (фізико-математичні науки)
• Рувінський Борис Маркович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"