Запропоновано кристалоквазіхімічні реакції виникнення власних атомних дефектів у телуриді свинцю у разі утворення твердих розчинів PbTe - GaTe. Встановлено, що донорна дія галію обумовлена двома механізмами: до 0,5 мол. % GaTe переважає механізм заміщення атомами галію вакансій свинцю - октаедричних порожнин, за 0,5 - 5 мол. % GaTe домінуючу роль відіграє як заміщення іонами <$Eroman Ga sup 1+> октаедричних порожнин, так і вкорінення <$Eroman Ga sup 3+> у міжвузля - тетраедричні порожнини щільної упаковки телуру у PbTe.

Crystall-quasichemical reaction of own atomic defects formation on lead tellurides at the solid solution PbTe-GaTe formation are proposed. It is obtain, that the gallium donor is explained by two mechanisms: up to 0.5 mol. % GaTe the substitution mechanism of lead vacancies by gallium atoms- octahedral space is dominant, at 0.5-5 mol.% GaTe as substitution by Ga1+ ionics of octahedral space are dominant, and Ga3+ implantation on interlattice - tetrahedral space of close packing of Te atoms on PbTe are dominant also

• Бойчук Володимир Миколайович (економічні науки)
• Бойчук Володимир Максимович (медичні науки)
• Бойчук Володимира Михайлівна (хімічні науки)
• Бойчук Віталій Миколайович (педагогічні науки)
• Бойчук Василь Миколайович (філологічні науки)
• Бойчук Валентина Михайлівна (філологічні науки)
• Бойчук В'ячеслав Миколайович (сільськогосподарські науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"