Висвітлено актуальні проблеми теоретичної фізики, матеріалознавства, фізики металів, напівпровідників та діелектриків. Наведено оцінку максимальної глибини виходу повільних електронів для екзоемісійної поверхневої скін-дозиметрії, результати дослідження міграції радіоцезію в грунтах Шацького національного природного парку. Описано природу електричних явищ у кристалах LiF за одновісного стискання. Розглянуто питання автоматизації температурних досліджень приросту оптичного двопроменезаломлення методом Сенармона, деполяризаційної спектроскопії легованого поруватого кремнію та його оксидів. Проаналізовано модифіковані балансні рівняння динаміки твердотільних лазерів, вплив технологічних факторів на електрофізичні властивості плівок PbSe за парофазної епітаксії, електричні властивості монокристалічного кремнію.

Освещены актуальные проблемы теоретической физики, материаловедения, физики металлов, полупроводников и диэлектриков. Приведены оценка максимальной глубины выхода медленных электронов для экзоэмиссионной поверхностной скин-дозиметрии, результаты исследования миграции радиоцезия в почвах Шацкого национального природного парка. Описана природа электрических явлений в кристаллах LiF при одновесном сжатии. Рассмотрены вопросы автоматизации температурных исследований прироста оптического двухлучепреломления методом Сенармана, деполяризационной спектроскопии легированного пористого кремния и его оксидов. Проанализированы модифицированные баллансные уравнения динамики твердотельных лазеров. Изучены влияние техгнологических факторов на электрофизические свойства пленок PbSe в случае парофазной эпитаксии, электрические свойства монокристаллического кремния.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"