Методами металлографии, электронографии и электронной микроскопии исследована поверхность ионнолегированного слоя кремния и граница раздела легированной и нелегированной областей. Изучена зависимость рельефа образующихся электронно-дырочных переходов и концентрации примеси (бор) от дозы в интервале 1014 - 1018 ион?см-2. Исследовано влияние отжига при температуре 700 - 900°С на структуру легированного слоя, в значительной степени определяющего эксплуатационные характеристики кремниевых приборов.

The surface of the ion-doped silicon layer and the boundary betveen of the doped and undoped areas were investigated by the methods and equipment of the metallography, electronography and electronic microscopy. The dependence of a contour of formed electronic-hole transitions and concentration of impurity (boron) from a doze in an interval 1014...1018 ions·cm-2 is investigated. The influence of annealing at the temperature of 700...900°С on doped structure of layer, which largely defines the operating performance of silicon gears in the concrete electronic circuits, is investigated.

• Прохоров Георгій Валерійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"