Экспериментально исследованы фотоприемные устройства импульсных ИК-сигналов на основе кремниевого p-i-n-фотодиода и операционного усилителя, в цепь обратной связи которого включен "искусственный" резистор, обладающий меньшей температурой шума, чем обычный резистор.

The photoreception devices (PRD) of pulse infrared signals are experimentally investigated. The PRD contains of siliicon p-i-n-photodiode and operational amplifier. The "artificial" resistor is included in a circuit of feedback operational amplifier and having smaller temperature of noise, than usual resistor.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"