Досліджено спінову фільтрацію електронного струму у наноструктурі на основі напівмагнітних напівпровідників типу ZnMnSe. Показано, товщини шарів наноструктури та концентрація Mn у шарах можуть бути вибрані у такий спосіб, що спінова поляризація електронного струму може досягати дуже великих значень у порівняно малих зовнішніх постійних магнітних полях. Знайдено, що величину та знак спінової поляризації електронного струму можна змінювати за допомогою напруги зміщення на напівмагнітній наноструктурі. Виявлено, що зміна знаку спінової поляризації електронного струму пов'язана з резонансним тунелюванням електронів зі спіном вгору через двобар'єрний енергетичний потенціал, який формується у наноструктурі завдяки підбору складу напівмагнітних шарів.

Исследована спиновая фильтрация электронного тока в наноструктурах на основе полумагнитных полупроводников типа ZnMnSe. Показано, что толщины слоев наноструктуры и концентрация Mn в слоях могут быть выбраны таким образом, что спиновая поляризация электронного тока может достигать очень больших значений в сравнительно малых внешних постоянных магнитных полях. Найдено, что степень и знак спиновой поляризации электронного тока можно изменять с помощью напряжения смещения на полумагнитной наноструктуре. Обнаружено, что изменение знака спиновой поляризации электронного тока связано с резонансным туннелированием электронов со спином вверх через двухбаръерный энергетический потенциал, сформированный в наноструктуре за счет выбора состава полумагнитных слоев.

Spin-filtering electron currents has been studied in the nanostructures based on ZnMnSe-semimagnetic semiconductors. It is shown that the thicknesses of nanostructure layers and the Mn-concentrations in the layers can be chosen in such a way that the spin polarization of the electron current can reach very large values in relatively low external constant magnetic fields. It has been found that the degree and sign of the spin polarization of the electron current can be changed with the help of the bias voltage applied to the semimagnetic nanostructure. It has been determined that the change of sign of the spin polarization of the electron current is concerned with the resonance tunneling of spin-up electrons through the double-barrier energy potential formed in the nanostructure at the expense of choosing the composition of semimagnetic layers

• Борисенко Сергій Анатолійович (фізико-математичні науки)
• Борисенко Світлана Анатоліївна (фізико-математичні науки)
• Борисенко Сергій Анатолійович (історичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"