Розглянуто теоретичні положення та напрями розвитку мікроелектроніки. Наведено характеристику основних типів інтегральних мікросхем (ІМС). Викладено фізичні основи мікроелектроніки, зокрема розглянуто електронну електропровідність, рухливість носіїв заряду, контактні явища у мікроелектронних структурах, ефект Ганна, поверхневі явища у напівпровідниках. Визначено будову, принципи функціонування, технічні параметри та сферу застосування напівпровідникових ІМС. Охарактеризовано гібридні та великі інтегральні мікросхеми. Висвітлено перспективи розвитку сучасних галузей електроніки.

Рассмотрены теоретические положения и направления развития микроэлектроники. Приведена характеристика основных типов интегральных микросхем (ИМС). Изложены физические основы микроэлектроники, в частности рассмотрены электронная электроповодность, движение носителей заряда, контактные явления в микроэлектронных структурах, эффект Ганна, поверхностные явления в полупроводниках. Охарактеризованы строение, принципы функционирования, технические параметры и сфера применения полупроводниковых ИМС. Рассмотрены гибрыдные и большие интегральные микросхемы. Освещены перспективы развития современных отраслей электроники.

• Однодворець Лариса Валентинівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"