Вирішено задачу про вплив іонів залишкового газу на розподіл статичного потенціалу в поперечному перерізі плоскопаралельного каналу, що містить стрічковий електронний пучок. Вивчено особливості формування природної іонної пастки залежно від параметра компенсації електронного заряду, температури іонного газу, коефіцієнта заповнення каналу електронним потоком і коефіцієнта асиметрії його розташування. Результати можуть бути використані у процесі конструювання приладів О-типу з тривалою взаємодією.

Решена задача о влиянии ионов остаточного газа на распределение статического потенциала в поперечном сечении плоскопараллельного канала, содержащего ленточный электронный пучок. Изучены особенности формирования естественной ионной ловушки в зависимости от параметра компенсации электронного заряда, температуры ионного газа, коэффициента заполнения канала электронным потоком и коэффициента асимметрии его расположения. Результаты могут быть использованы при конструировании приборов О-типа с длительным взаимодействием.

The ion influence on the static potential distribution in the plane-parallel channel with a tape electronic beam was studied. Features of the natural ionic trap building are investigated depending on parameter of the electronic charge compensation, the ionic gas temperature, on the coefficient of filling of the channel by an electronic stream and the coefficient of asymmetry of his arrangement. Results can be used at designing of О-type devices with long-time interaction

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"