Проведен расчет квантового выхода межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe с учетом их состава, уровня легирования, температуры и уровня оптического возбуждения. Показано, что к увеличению квантового выхода излучательной рекомбинации в межзонном рекомбинационном процессе в кристаллах n- и p-типов во всем диапазоне уровней легирования приводят уменьшение температуры и увеличение ширины запрещенной зоны, а в кристаллах p-типа также легирование акцепторными дефектами в определенных пределах, зависящих от состава материала.

The calculation of the quantum yield inherent to the interband radiative recombination in CdHgTe crystals has been performed taking into account their composition, doping level, temperature as well as optical excitation level. It has been shown that the observed increase in the radiative recombination yield characterizing the recombination process in n- and p-types crystals within all the range of doping levels is caused by decreasing the temperature and growing forbidden gap width. In p-type crystals the same effect is also reached by doping with acceptor defects within definite limits depending on the material composition.

• Власенко Зоя Костянтинівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"