Исследовано влияние термообработки (ТО) на электрофизические свойства датчиков <$Egamma>-излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe p-типа. Определен оптимальный режим ТО. Показано, что применение ТО позволяет значительно снизить ток утечки и повысить рабочее напряжение, что способствует улучшению спектрометрических характеристик датчика. Приведены экспериментальные результаты, демонстрирующие, что изменение характеристик детектора в большей степени обусловлено модификацией границы раздела "металл - полупроводник", чем изменением свойств боковой поверхности.

The influence of heat treatment on properties of Cd0,9Zn0,1Te semiconductor detectors p-type was investigated. Were considered different temperature types of heat treatment. Heat treatment influence on detectors J-V characteristics and spectrometric parameters was determined.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"