Представлены результаты исследований влияния режимов ионной имплантации и импульсного некогерентного фотонного отжига на параметры имплантированных Si слоев n - GaAs на подложках полуизолирующего GaAs. Полученные слои характеризуются следующими параметрами: толщина 0,1 - 0,3 мкм, концентрация электронов <$E10 sup 17 ~-~ 10 sup 18 см sup -3 >, подвижность 2000 - 3000 см<^>2/(В·с).

The results of investigation of the ion doping and photon annealing modes influence on properties of n-GaAs implanted with Si layers on semiinsulating substrates have been presented. The created layers were characterised next parameters: thickness 0,1-0,3 ?m, electron concentration 1017-1018 сm-3, mobility 2000-3000 сm2/(V·s).

• Бончик Олександр Юрійович (фізико-математичні науки)
• Кияк Степан Григорович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Савицький Григорій Володимирович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"