За допомогою методів оже- та фотоелектронної спектроскопій, дифракції повільних електронів (ДПЕ) та спектроскопії характеристичних втрат енергії електронів (СХВЕЕ) досліджено формування електронної структури та зміну роботи виходу при адсорбації Bi на атомарно чистих Si(111) 7 times 7 розупорядкованих іонами Ar a-Si(111)-поверхнях. Показано, що на обох поверхнях Bi адсорбується за механізмом Странського - Крастанова. Електронну структуру, характерну для об'ємного Bi, спостережено вже при theta_Bi = 5 symbol Ш 6 моношарів (МШ). Прогрівання інтерфейсів, утворених Bi на таких поверхнях, по- різному впливає на їх структуру. На кристалічних підкладках за Т > 300 °C утворюється надструктура sqrt 3 times sqrt 3, на a-Si(111) при 300 °C Bi десорбується. На упорядкованій та на розупорядкованій поверхнях кремнію Bi зменшує роботу виходу приблизно на 0,7 еВ, впливає на щільність поверхневих електронних станів, що зумовлені адатомами кремнію та зв'язані з напруженістю зв'язків між атомами перших двох шарів Si, а також модифікує спектр характеристичних втрат енергії електронів. Подано інтерпретацію результатів.

• Мельник Петро Володимирович (економічні науки)
• Мельник Петро Васильович (юридичні науки)
• Находкін Микола Григорович (1925–2018) (фізико-математичні науки)
• Оберемок Олександр Степанович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"