Ряд экспериментальных исследований природных полупроводниковых алмазов типов IIb и Ic указывает на существенный вклад дислокаций в электронные свойства. Поэтому представляет интерес проблема создания дислокационных систем в природных и синтетических алмазах. Для формирования дислокационной структуры в алмазах проводилась пластическая деформация с использованием техники высоких давлений и импульсного лазерного излучения. Результаты деформации изучены методом рентгеновской дифракции и ЭПР. Установлено, что монокристаллы алмаза приобретают мозаичное строение с малоугловыми дислокационными границами между блоками мозаики. Ядра дислокаций содержат ненасыщенные углеродные связи, которые согласно Шокли в кристаллах со структурой алмаза образуют акцепторные центры. При лазерном импульсном воздействии возникновение ненасыщенных углеродных связей зависит от температуры образца.

• Варюхін Віктор Миколайович (1952–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"