Отримано шари Mn_xHg_{1 - x}Te (x = 0,1 - 0,13) на підкладках CdTe (111) імпульсним лазерним випаровуванням під час сканування променя на поверхні мішені. Для досліджень структури та властивостей використано електронну дифракцію, мікрозондовий аналіз та холлівські вимірювання. З'ясовано, що епітаксійний ріст відбувається у вузькому діапазоні температур підкладки 450 - 470 К. Епітаксійні шари володіли n-типом провідності з концентрацією носіїв (1,0 - 3,0) ^. 10¹⁷ см^-3 і рухливістю (0,7 - 2,8) ^. 10⁴ см² /Вс за температури 77 К. Термічний відпал у парах ртуті майже не змінює концентрацію носіїв. Зростання рухливості носіїв (на 1 - 1,6 порядка) досягається лише за наявності двостадійної обробки в парах ртуті.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"