Методами температурних та електропольових залежностей поверхневої фото-ЕРС досліджено електронні властивості реальної та сульфідованої поверхонь (100) n-GaAs. Показано, що система поверхневих електронних станів (ПЕС), яка перебудовується на реальній поверхні зі зниженням температури у діапазоні 300 - 100 К, стає стабільною після сульфідування поверхні GaAs. Уперше виявлено, що розподіл щільності ПЕС у забороненій зоні на реальній і сульфідованій поверхнях, який отримано з електропольових залежностей фото-ЕРС, залежить від температури вимірювання. Це зумовлено участю в електропольових вимірюваннях електронних станів, які пересувають як на межі поділу GaAs - поверхнева плівка, так і в самій плівці та на її зовнішній межі. Сульфідування поверхні призводить до зменшення щільності обох видів електронних станів, а також станів, які проявляються як пастки нерівноважних дірок.

• Венгер Євген Федорович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Чорнобай Валерія Анатоліївна (філософські науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"