В достаточно общих предположениях получены теоретические соотношения для зависимости эффективности фотопреобразования диффузионных кремниевых солнечных элементов от уровней легирования эмиттера, коллектора и базы, их толщины, степени металлизации фронтального контакта, времени жизни Шокли - Рида в базе, а также ряда других параметров СЭ. Использование полученных соотношений позволяет оптимизировать основные параметры кремниевых диффузионных СЭ. В частности, показано расчетным путем, что для СЭ с n⁺ - p - p⁺-структурой оптимальными для условий АМ0 являются такие значения параметров: уровень легирования эмиттера approx 10¹⁹ см^-3, его толщина approx 10^-4см, уровень легирования базы approx 10¹⁷ см^-3, толщина СЭ approx (2,5 - 3) ^. 10^-2 см и степень затенения фронтальной поверхности 0,02.

• Саченко Анатолій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"