РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІНАДХОДЖЕННЯ |
ПОШУК
|
РУБРИКАТОР
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000032884<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
Шепель Л. Г. Метод повышения эффективности р - n-GaAs:Si структур для мощных инфракрасных излучателей / Л. Г. Шепель // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 212-215. - Библиогр.: 8 назв. - рус. На основе статистического анализа выходных характеристик промышленно выпускаемых p - n-GaAs:Si структур для ИК излучателей изучено влияние различных технологических факторов на величину мощности излучения. Показано, что предшествующая эпитаксии градиентная термообработка подложек приводит к существенному (10 - 40 %) повышению процента выхода годных структур в заданном интервале мощности излучения (P > 4 мВт при I = 100 мА). Індекс рубрикатора НБУВ: З996-5 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" | |||
| Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
 |
| Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів |
 |
| Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського